품질 갈륨 질화물 웨이퍼 & 사파이어 웨이퍼 제조 업체

   사파이어 ∼ 여기 는 잘못 알려지는 것 이 없다!         시계 애호가들은 확실히 "사피어 결정"이라는 용어를 잘 알고 있습니다."대부분의 유명한 시계 모델은 빈티지 시계를 제외하면이것은 세 가지 중요한 질문을 던집니다.     1사피어는 가치가 있나요? 2"사피어 크리스탈" 시계 유리창은 정말 사피어로 만들어졌나요? 3왜 사피어를 쓰죠?       사실, 시계 제조업에 사용되는 사파이어는 전통적인 의미의 자연 보석과 동일하지 않습니다. 올바른 용어는 "사파이어 크리스탈"입니다.주로 알루미늄 산화물 (Al2O3) 로 구성된 합성 사파이어색소 가 첨가 되지 않기 때문 에 합성 사파이어는 무색 이다.         화학적 인 측면 과 구조적 인 측면 에서, 자연 사파이어 와 합성 사파이어 사이 에는 별 차이가 없다. 그러나 자연 사파이어 와 비교 할 때, 합성 사파이어 는 특별히 가치 가 없다.   주요 시계 브랜드들이 유니폼을 위해 사파이어 크리스탈을 선호하는 이유는 단순히 프리미엄처럼 들리는 것 때문이 아니라 그 특유의 특성 때문이기도 합니다.       - 딱딱함: 합성 사파이어는 자연 사파이어와 모스 척도 에서 9 을 맞추고 다이아몬드 에 그 다음 에 위치 하고 있으며, 그 로 인해 매우 긁힘 저항성 이 있습니다.   - 내구성: 부식 저항성, 열 저항성, 열 전도성   - 광학 맑음: 사피어 결정은 예외적인 투명성을 제공하며, 현대 시계 제조에 완벽한 재료가 될 수 있습니다.         사파이어 크리스탈의 사용은 시계를 만드는 데 1960년대에 시작되어 빠르게 널리 퍼졌습니다.고품질 시계의 유일한 선택입니다..       그리고 2011년에 사파이어는 다시 한번 럭셔리 시계 산업에서 센세이션이 되었습니다. 리차드 밀레가 RM 056을 공개하면서요.완전히 투명한 사피어 케이스를 갖추고 있습니다.많은 브랜드들은 순화선이 시계 결정뿐만 아니라 케이스에도 사용될 수 있다는 것을 곧 깨달았고, 그것은 환상적이었다.           불과 몇 년 만에 사파이어 케이스는 트렌드로 변했고, 투명성에서 생동감 넘치는 색으로 변했고, 그 결과 점점 더 다양한 디자인이 만들어졌습니다. 기술이 발전함에 따라사파이어 케이스를 가진 시계는 제한된 에디션에서 정규 생산 모델로 전환되었습니다., 심지어 핵심 컬렉션.   그래서 오늘 우리는 사파이어 크리스탈 케이스의 몇 가지 시계를 살펴볼 것입니다.     ARTYA     순수 투르빌론 스위스 독립 시계 제조사 ArtyA의 순수 투르빌론은 고도로 골격화된 디자인과 투명한 사파이어 케이스가 있습니다.이름에서 알 수 있듯이 투르빌론의 시각적 효과를 극대화합니다.순수한 투르빌론     벨 & 로스     BR-X1 크로노그래프 투르빌론 사피어 2016년 벨 앤 로스 (Bell & Ross) 는 첫 번째 사파이어 시계인 BR-X1 크로노그래프 투르빌론 사파이어 (Br-X1 Chronograph Tourbillon Sapphire) 를 처음 출시했으며, 5개에 한정되어 있으며, 가격은 400,000 유로 (한화 약 4억 원) 이 넘습니다.그들은 더욱 투명하고 골격화된 버전을 출시했습니다., BR-X1 스켈레톤 투르빌론 사피어. 그 다음 2021년에 그들은 그들의 서명 두개골 모티브를 과감한 사각형 케이스에 특징으로하는 BR 01 사이버 두개골 사피어를 발표했다.         BLANCPAIN   L-진화 엄밀히 말하면, 블랑페인의 L-Evolution Minute Repeater Carillon Sapphire는하지만 투명한 사피어 다리와 옆 창문은 눈에 띄는 투명성 효과를 만들어냅니다. 사피어 케이스에 "반 단계".     CHANEL           J12 엑스레이 J12의 20주년을 맞아 샤넬은 J12 X-RAY를 공개했습니다. 이 시계를 주목할 만한 것은 케이스와 다이얼이 사피르로 만들어졌다는 것 뿐만 아니라, 팔찌 전체가 사피르로 만들어졌다는 것입니다.완전히 투명한 외모를 얻을 수 있습니다..             코파드     L.U.C 풀 스트라이크 사피어 2022년에 출시된 쇼파드의 L.U.C 풀 스트라이크 사파이어는 사파이어 케이스가 탑재된 최초의 분 리퍼였다. 투명성을 극대화하기 위해 콩도 사파이어로 만들어졌다. 세계 최초 혁신이다.이 시계 는 또한 Poinçon de Genève (제네바 인장) 을 획득 하였다, 첫 번째 비금속 시계는 그렇게합니다. 5개의 조각으로 제한되어 있습니다.     지라드-페레가우스     퀘이사 2019년, 지라르 페레고스는 첫 번째 사피르 케이스 시계인 퀘이사르를 선보이며, 상징적인 "세 개의 다리" 디자인을 선보였다.2020년 첫 사파이어 모델을 선보인 '라우레아토 절대 컬렉션', 라우레토 절대적인 추모와 함께 빨간색 투명한 케이스를 사용하지만 사피르가 아니라 YAG (이트륨 알루미늄 그라넷) 라는 새로운 폴리 크리스탈린 물질입니다.         GREUBEL FORSEY     30° 더블 투르빌론 사피어 그루벨 포세이의 30° 더블 투르빌론 사피어는 케이스와 크라운이 모두 사피어 크리스탈로 만들어졌기 때문에 눈에 띄고 있습니다.120시간의 전원보유량을 위해 4개의 시리즈 결합 배럴을 자랑합니다.1백만 달러가 넘는 가격으로, 8개로 제한되어 있습니다.     JACOB & CO.     천문학 은 흠 이 없다 JCAM24 수동 윙링 동작을 완벽하게 보여주기 위해, Jacob & Co.는 Astronomia Flawless를 완전히 사피어 케이스로 만들었습니다. 모든 각도에서 복잡한 동작은 공중에서 떠있는 것처럼 보입니다.     리처드 밀     사파이어 케이스의 트렌드 세터로서, 리차드 밀레는 물질을 마스터했습니다. 남성 또는 여성 시계, 또는 복잡한 시계에서, 사파이어 케이스는 서명입니다. 탄소 섬유와 마찬가지로,리처드 밀레 는 또한 색상 다양성 을 강조 합니다, 그들의 사피어 시계를 초현급하게 만듭니다.       사파이어 크리스탈 에서 사파이어 케이스 까지 이 재료 는 고급 시계 제조 혁신 의 상징 이 되었습니다. 여러분 은 어떤 사파이어 시계 를 가장 좋아하시나요? 알려 주십시오.

  레이저 슬라이싱은 미래에 8인치 실리콘 탄화물을 절단하는 주류 기술이 될 것입니다.       Q: 실리콘 카바이드 슬라이싱 처리에 대한 주요 기술은 무엇입니까?   A: 실리콘 탄화수소 는 다이아몬드 에 이어 두 번째로 딱딱 하며, 딱딱 하고 부서지기 쉬운 물질 이다.자란 결정 을 잎 으로 잘라내는 과정 은 오래 걸리고 찢어지기 쉽다실리콘 카바이드 단일 결정의 가공의 첫 번째 과정으로서, 슬라이싱의 성능은 후속 밀링, 롤링, 희석 및 기타 가공 수준을 결정합니다.슬라이싱 처리는 웨이퍼의 표면과 하부 표면에 균열을 일으킬 가능성이 있습니다., 웨이퍼의 깨지기 속도와 제조 비용을 증가시킵니다. 따라서,웨이퍼 슬라이싱의 표면 균열 손상을 제어하는 것은 실리콘 카바이드 장치 제조 기술의 개발을 촉진하는 데 큰 의미가 있습니다.현재 보고된 실리콘 카바이드 슬라이싱 처리 기술에는 주로 통합, 자유 가려진 슬라이싱, 레이저 절단, 냉 분리 및 전기 방출 슬라이싱,그 중 다이아몬드 통합 가려진 복수선 절단 (reciprocating diamond consolidated abrasive multi-wire cutting) 은 실리콘 카바이드 단일 결정의 가공에 가장 일반적으로 사용되는 방법이다.크리스탈 링고트의 크기가 8인치 이상이면, 와이어 절단 장비에 대한 요구 사항은 매우 높고, 비용은 또한 매우 높고, 효율은 너무 낮습니다.새로운 절단 기술 개발이 절단 기술 개발이 절단 기술, 저손실과 높은 효율성.       ZMSH의 SiC 크리스탈 잉글릿       Q: 전통적인 다선 절단 기술에 비해 레이저 절단 기술의 장점은 무엇입니까? A: 전통적인 와이어 절단 과정에서는 실리콘 카바이드 잉글릿을 특정 방향으로 몇 백 미크론의 두께의 얇은 시트로 절단해야합니다.이 시트 다음 다이아몬드 밀링 액체로 깎아 도구 표시와 표면 하부 균열 손상을 제거하고 필요한 두께에 도달그 후, CMP 롤링은 글로벌 평형화를 달성하기 위해 수행되며 마지막으로 실리콘 카바이드 웨이퍼가 청소됩니다.실리콘카바이드가 고강도와 깨지기 쉬운 물질이기 때문에, 그것은 절단, 밀링 및 닦는 동안 왜곡과 균열에 유연하며 이는 웨이퍼의 깨지기 속도와 제조 비용을 증가시킵니다.표면 및 인터페이스 거칠성이 높습니다., 그리고 오염은 심각합니다 (먼지와 폐수와 같이). 또한, 멀티 와이어 절단 처리 주기는 길고 생산량은 낮습니다.전통적인 다선 절단 방법은 전체 재료 활용률이 50%에 불과하다고 추정됩니다., 닦고 닦은 후 절단 손실 비율은 75%에 달합니다. 해외의 초기 생산 통계는 24 시간 연속 병렬 생산으로,약 273일이 걸립니다.1,000개, 이는 비교적 긴 시간입니다. 현재 대부분의 국내 실리콘 카바이드 결정 성장 기업은 "생산을 어떻게 증가시킬 것인가"의 접근 방식을 채택하고 결정 성장 오븐의 수를 크게 증가시킵니다. 사실,크리스탈 성장 기술이 아직 완전히 성숙하지 않은 상태에서 상대적으로 낮은 수확률레이저 슬라이싱 장비의 도입은 손실을 크게 줄이고 생산 효율성을 높일 수 있습니다.예를 들어 20mm의 SiC 잉글을 한 개로 들자면, 30 350um 웨이퍼는 철톱을 사용하여 생산 할 수 있으며, 50 개 이상의 웨이퍼는 레이저 슬라이싱 기술을 사용하여 생산 할 수 있습니다.레이저 슬라이싱으로 생산된 웨이퍼의 더 나은 기하학적 특성으로 인해, 단일 웨이퍼의 두께는 200um까지 줄일 수 있으며, 이는 웨이퍼의 수를 더욱 증가시킵니다. 하나의 20mm SiC 잉글로는 80개가 넘는 웨이퍼를 생산할 수 있습니다.전통적인 멀티 와이어 절단 기술은 6 인치 이하의 실리콘 탄화물에서 널리 적용되었습니다하지만, 8인치 실리콘 카바이드 절단에는 10~15일이 걸립니다.대용량 레이저 슬라이싱의 기술적 이점은 명백해지고 미래에 8인치 절단의 주류 기술이 될 것입니다.8인치 실리콘 카바이드 잉글의 레이저 절개는 조각 당 20분 미만의 단일 조각 절단 시간을 달성 할 수 있으며, 단일 조각 절단 손실은 60um 내에 제어됩니다.       ZMSH의 SiC 크리스탈 잉글릿     전반적으로, 멀티 와이어 절단 기술에 비해 레이저 절단 기술은 높은 효율성과 속도, 높은 절단 속도, 낮은 재료 손실 및 청결성 등의 장점이 있습니다. Q: 실리콘 탄화물 레이저 절단 기술의 주요 어려움은 무엇입니까? A: 실리콘 카비드 레이저 절단 기술의 주요 과정은 레이저 수정 및 웨이퍼 분리 두 단계로 구성됩니다. 레이저 수정의 핵심은 레이저 빔을 형성하고 최적화하는 것입니다. 레이저 전력, 점 지름,그리고 스캔 속도 모두 실리콘 탄화물 절제 수정 및 후속 웨이퍼 분리 효과에 영향을변형 구역의 기하학적 차이는 표면 거칠성과 그 후 분리 난이도를 결정합니다.높은 표면 거칠기는 후속 밀링의 어려움을 증가하고 재료 손실을 증가시킬 것입니다. 레이저 수정 후 웨이퍼의 분리 주로 절단 힘에 의존하여 냉각 균열 및 기계적 팽창 힘과 같은 절단 웨이퍼를 인고트에서 벗겨냅니다. 현재,국내 제조업체의 연구 개발은 주로 울타리 변환기를 사용하여 진동으로 분리합니다., 분해와 칩링과 같은 문제를 초래할 수 있으며, 이로 인해 완제품의 양이 감소합니다.   위의 두 단계는 대부분의 연구 개발 부대에 큰 어려움을 초래하지 않을 것입니다.다양한 결정 성장 제조업체에서 결정 잉크의 다른 과정과 도핑으로 인해또는, 단일 결정 진구의 내부 도핑과 스트레스가 불균형이라면, 그것은 결정 진구의 조각의 어려움을 증가시킬 것입니다.손실을 증가시키고 완제품의 생산량을 줄입니다.다양한 탐지 방법을 통해 식별하고 지역 레이저 스캔 슬라이싱을 수행하는 것만으로 효율성과 슬라이스 품질을 향상시키는 데 중요한 영향을 미치지 않을 수 있습니다.혁신적인 방법과 기술을 개발하는 방법, 절단 프로세스 매개 변수를 최적화그리고 개발 레이저 썰기 장비와 다양한 제조업체의 다양한 품질의 크리스탈 잉크를 위한 보편적인 프로세스를 가진 기술을 대규모 응용의 핵심입니다.   질문: 실리콘 탄화물 이외에도 레이저 썰기 기술을 다른 반도체 재료의 절단에 적용 할 수 있습니까? A: 초기 레이저 절단 기술은 다양한 재료 분야에서 적용되었습니다. 반도체 분야에서 주로 칩 웨이퍼를 쪼개는데 사용되었습니다. 현재,그것은 큰 크기의 단일 결정의 슬라이싱으로 확장되었습니다실리콘 탄화물 외에도 다이아몬드, 갈륨 질소 및 갈륨 산화질과 같은 싱글 크리스탈 물질과 같은 고 강도 또는 부서지기 쉬운 물질을 잘라내는 데 사용할 수 있습니다.난징대학교의 연구팀은 이 여러 반도체 단일 결정들을 잘라내는 데 많은 예비 작업을 했습니다., 반도체 단일 크리스탈에 대한 레이저 슬라이싱 기술의 실현 가능성과 장점을 확인합니다.       ZMSH의 다이아몬드 웨이퍼 & GaN 웨이퍼       Q: 현재 우리 나라에서 성숙한 레이저 슬라이싱 장비 제품이 있습니까? 현재이 장치의 연구 개발 단계는 무엇입니까?   A: 대형 크기의 실리콘 카바이드 레이저 썰기 장비는 산업계에서 8인치 실리콘 카바이드 잉글릿을 썰기 위한 핵심 장비로 간주됩니다.큰 크기의 실리콘 카비드 잉크 레이저 썰기 장비는 일본에서만 제공 할 수 있습니다.이 장비는 비싸고 중국에 대한 제재 대상이 됩니다. 연구에 따르면, 레이저 슬라이싱/밀어 가공 장비에 대한 국내 수요는 약 1,600만 원에 달할 것으로 추정됩니다.1000개 단위 와이어 절단 단위 수와 계획된 실리콘 카바이드 생산량현재 한의 레이저, 델롱 레이저, 장수 제너럴과 같은 국내 기업들은 관련 제품 개발에 막대한 돈을 투자했습니다.그러나 아직 생산 라인에는 숙련된 국내 상업 장비가 적용되지 않았습니다..   2001년 초, the team led by Academician Zhang Rong and Professor Xiu Xiangqian from Nanjing University developed a laser exfoliation technology for gallium nitride substrates with independent intellectual property rights, 풍부한 연구 기반을 축적했습니다. 지난 1 년 동안 우리는이 기술을 대용량 실리콘 카바이드 레이저 절단 및 희석에 적용했습니다.우리는 프로토타입 장비의 개발과 슬라이싱 프로세스 연구 개발을 완료했습니다., 4-6 인치 반 단열성 실리콘 카바이드 웨이퍼의 절단 및 희석 및 6-8 인치 전도성 실리콘 카바이드 잉글릿의 슬라이싱을 달성합니다.6-8 인치 반 단열성 실리콘 탄화탄의 슬라이싱 시간은 슬라이스 당 10-15 분입니다, 단 조각 손실이 30μm 미만. 6-8 인치 전도성 실리콘 탄화물 잉글릿의 단 조각 절단 시간은 단 조각 손실이 60um 미만인 단 조각 당 14-20 분입니다.생산률은 50% 이상 증가 할 수 있다고 추정됩니다.슬라이싱 및 밀링 및 롤링 후, 실리콘 카바이드 웨이퍼의 기하학적 매개 변수는 국가 표준에 적합합니다.연구 결과는 또한 레이저 썰기 동안 열 효과는 실리콘 카바이드의 스트레스와 기하학적 매개 변수에 중요한 영향을 미치지 않는다는 것을 보여줍니다.이 장비를 이용해서 우리는 다이아몬드, 갈륨 질소, 갈륨 산화물의 단일 결정의 슬라이싱 기술에 대한 타당성 검증 연구를 진행했습니다.     실리콘 카바이드 웨이퍼 가공 기술의 혁신적인 리더로서, ZMSH는 8인치 실리콘 카바이드 레이저 슬라이싱의 핵심 기술을 마스터하는 데 주도권을 잡았습니다.독립적으로 개발된 고 정밀 레이저 변조 시스템과 지능형 열 관리 기술을 통해, 그것은 잘라내는 속도를 50% 이상 증가시키고 재료 손실을 100μm 내로 줄임으로써 업계에서 돌파구를 성공적으로 달성했습니다.우리의 레이저 슬라이싱 솔루션은 자외선 초단 펄스 레이저를 사용 합니다, 절단 깊이와 열에 영향을받는 구역을 정확하게 제어 할 수 있으며, 웨이퍼의 TTV가 5μm 내로 제어되고 오차 밀도가 103cm−2 미만임을 보장합니다.8인치 실리콘 카바이드 기판의 대량 생산에 대한 신뢰할 수 있는 기술 지원을 제공현재 이 기술은 자동차 수준의 검증을 통과했으며 새로운 에너지와 5G 통신 분야에서 산업적으로 적용되고 있습니다.       다음은 SiC 4H-N & SEMI형 ZMSH입니다.               * 저작권 관련 문제 가 있는 경우 저희에게 연락 하시면 즉시 해결 될 것 입니다.          

5세대 반도체 재료의 예측과 도전     반도체는 정보시대의 초석이며, 그 재료의 반복은 인간의 기술의 경계를 직접적으로 결정합니다.실리콘 기반 반도체 1세대부터 현재 4세대 초대폭 광대간간 물질까지, 혁신의 각 세대는 통신, 에너지, 컴퓨팅과 같은 분야에서 급격한 발전을 이끌었습니다.네 번째 세대의 반도체 재료의 특성과 세대 교체 논리를 분석함으로써, 5세대 반도체의 가능한 방향이 추측되고 동시에 중국이 이 분야에서 돌파구를 탐구합니다.       I. 4세대 반도체 재료의 특성 및 세대 교체의 논리         반도체 의 첫 세대: 실리콘 과 게르마늄 의 "기본 시대"     특징:실리콘 (Si) 과 게르마늄 (Ge) 으로 대표되는 기본 반도체는 저렴한 비용, 성숙한 프로세스 및 높은 신뢰성의 장점이 있습니다.그들은 비교적 좁은 대역 폭 (Si) 으로 제한됩니다.: 1.12 eV, Ge: 0.67 eV) 로 인해 저항 전압이 떨어지고 고주파 성능이 충분하지 않습니다. 응용 프로그램:통합 회로, 태양전지, 저전압 및 저주파 장치 세대교체가 일어나는 이유는통신 및 광 전자 분야에서 고 주파수 및 고 온도 성능에 대한 수요가 증가함에 따라 실리콘 기반 물질은 점차 요구 사항을 충족 할 수 없습니다.         ZMSH의 Ge 광학 윈도우 & Si 웨이퍼         2세대 반도체: 복합 반도체의 "광전자 혁명"   특징:갈륨 아르세나이드 (GaAs) 와 인디엄 포스피드 (InP) 로 대표되는 III-V 그룹 화합물은 대역 간격 폭이 커집니다 (GaAs: 1.42 eV), 높은 전자 이동성,그리고 고주파 및 광전력 변환에 적합합니다.. 응용 프로그램:5G 전파 장치, 레이저, 위성 통신. 도전 과제:희귀한 재료 (예: 0.001%의 인디엄 매장량), 높은 준비 비용 및 독성 요소 (예: 아르센) 의 존재. 세대 교체의 이유:새로운 에너지 및 고전압 전력 장비는 전압 저항과 효율성에 대한 더 높은 요구 사항을 제시했으며, 이는 넓은 대역 간격 재료의 출현을 주도했습니다.       ZMSH의 GaAs 와이퍼 & InP 와이퍼       세 번째 세대의 반도체: 넓은 대역 간격 을 가진 "에너지 혁명"   특징:실리콘 카바이드 (SiC) 와 갈륨 나트라이드 (GaN) 를 중심으로 하여, 대역 간격 폭이 크게 증가 (SiC: 3.2 eV, GaN: 3.4 eV) 하며, 높은 분해 전기장을 특징으로 하며,높은 열전도성과 높은 주파수 특성. 응용 프로그램:신에너지 차량, 태양광 인버터, 5G 기지 스테이션의 전기 구동 시스템 장점:에너지 소비는 실리콘 기기와 비교하면 50% 이상 감소하고 용량은 70% 감소합니다. 세대 교체의 이유:인공지능과 양자 컴퓨팅과 같은 신흥 분야는 지원에 더 높은 성능을 갖춘 물질을 필요로 하며, 타임스 (The Times) 가 요구하는 초대 폭의 밴드gap 물질이 등장했습니다.       ZMSH의 SiC 와이퍼와 GaN 와이퍼       네 번째 세대 반도체: 초대폭 광대파의 "극단적 돌파구"   특징:갈륨 산화물 (Ga2O3) 및 다이아몬드 (C) 로 대표되는 밴드gap 너비는 추가로 증가했습니다 (갈륨 산화물: 4.8 eV), 초하의 전원 저항과 초고의 저항 전압을 모두 특징으로합니다.그리고 엄청난 비용 잠재력을 가지고. 응용 프로그램:초고전압 전력 칩, 깊은 자외선 감지기, 양자 통신 장치 돌파구갈륨 산화물 장치는 8000V 이상의 전압을 견딜 수 있으며 효율은 SiC보다 3배 높습니다. 세대 교체의 논리:전 세계적으로 컴퓨팅 능력과 에너지 효율을 추구하는 것은 물리적 한계에 가까워졌고, 양자 규모의 성능 도약을 달성하기 위해 새로운 재료가 필요합니다.       ZMSH의 Ga2O3 웨이퍼 & GaN 온 다이아몬드         ii. 5세대 반도체 경향: 양자 물질과 2차원 구조의 "미래 청사진"       만약 "역폭 폭 확장 + 기능적 통합"의 진화 경로가 계속된다면, 5세대 반도체는 다음과 같은 방향에 초점을 맞출 수 있습니다. 1) 토폴로지 절연기:표면 전도성과 내부 단열의 특성으로, 에너지 제로 전자 장치를 만들 때 사용할 수 있습니다.전통적인 반도체의 열 발생 병목을 깨는 것. 2) 2차원 재료:그래핀과 몰리브덴 디섬피드 (MoS2) 와 같은 원자 수준의 두께로 초고 주파수 반응과 유연한 전자 잠재력을 부여합니다. 3) 양자 점과 광성 결정:양자 격리 효과를 통해 대역 구조를 조절함으로써 빛, 전기 및 열의 다기능 통합이 달성됩니다. 4) 바이오 반도체:생물학적 시스템과 전자 회로와 호환되는 DNA 또는 단백질을 기반으로 자자 조립 물질 5) 핵심 동력:인공지능, 뇌-컴퓨터 인터페이스,그리고 방온 초전도성은 반도체들이 지능과 생물 호환성을 향해 진화하는 것을 촉진시키고 있습니다..       중국 반도체 산업의 기회: "추천"에서 "속도 유지"로       1) 기술 혁신 및 산업 사슬 구성 · 세 번째 세대의 반도체:중국은 8인치 SiC 기판의 대량 생산을 달성했으며 자동차 수준의 SiC MOSFET는 BYD와 같은 자동차 제조업체에서 성공적으로 적용되었습니다. · 4세대 반도체:시안 우편통신대학과 중국 전자기술그룹의 46연구소에서 8인치 갤륨산화 대동기 기술을세계 1위권에 진입하는.     2) 정책 및 자본 지원 ·우리나라의 14차 5개년 계획에는 3세대 반도체가 주요 관심사로 지정되어 있으며, 지방자치단체는 100억 위안 이상의 산업 자금을 설립했습니다. ·2024년 10대 기술 발전 중에서도 6~8인치 갤륨산화물 장치와 갤륨산화물 트랜지스터와 같은 업적들이 선정되었습니다.산업 사슬 전체에 걸쳐 획기적인 추세를 나타냅니다..       IV. 도전 과 그 경로를 돌파 하는 것       1) 기술적인 곤경 · 재료 준비:큰 크기의 단일 결정 성장의 양은 낮습니다 (예를 들어, 갈륨 산화소는 균열에 취약하며) 결함 통제의 어려움이 높습니다. · 장치 신뢰성:고주파와 고전압의 수명 테스트 표준은 아직 완료되지 않았으며 자동차 수준의 장치의 인증 주기는 길습니다.       2) 산업 사슬의 결함 · 고급 장비는 수입에 의존합니다.예를 들어, 실리콘 카비드 결정 성장 오븐의 국내 생산률은 20% 미만입니다. · 약한 애플리케이션 생태계:하류 기업들은 수입된 부품들을 선호하고, 국내 대체는 정책적 지침이 필요합니다.     3) 전략적 개발 1산업·대학·연구 협력:세 번째 세대의 반도체 동맹 모델을 바탕으로우리는 대학 (제주대학교, 닝보 공과대학 등) 과 기업과 손을 잡고 핵심 기술을 해결할 것입니다.. 2차별화된 경쟁:새로운 에너지와 양자 통신과 같은 증대 시장에 집중하고 전통적인 거장들과의 직접적인 대립을 피하십시오. 3인재 육성해외 최고의 학자들을 유치하고 "칩 과학 및 엔지니어링"의 학문 구축을 촉진하기 위해 특별 기금을 설립합니다.   실리콘에서 갈륨산화물까지 반도체의 진화는 인간의 물리적인 한계를 뛰어넘는 서사시입니다.만약 중국이 4세대 반도체의 기회 창을 포착하고 5세대 재료에 대한 미래지향적 계획을 세울 수 있다면, 그것은 글로벌 기술 경쟁에서 "레인 변경 오프타킹"을 달성 할 것으로 예상됩니다. 학자 양 데렌이 말했듯이, "진정한 혁신은 미지의 길을 걷기위한 용기를 필요로합니다." 이 길에서, 정책, 자본과 기술의 공감대가 중국의 반도체 산업의 거대한 바다를 결정합니다.     ZMSH는 반도체 재료 부문의 공급업체로서1세대 실리콘/제르메늄 웨이퍼부터 4세대 갈륨 산화물 및 다이아몬드 얇은 필름에 이르기까지 전체 공급망에 걸쳐 포괄적인 존재감을 구축했습니다.이 회사는 실리콘 카바이드 기판과 갈륨 질소 대동성 웨이퍼와 같은 세 번째 세대 반도체 부품의 대량 생산 생산량을 향상시키는 데 중점을두고 있습니다.동시에 초 넓은 대역 물질을 위한 결정 준비에 대한 기술 자원을 발전시키는 동안수직적으로 통합된 연구 개발, 결정 성장 및 처리 시스템을 활용하여 ZMSH는 5G 기지국, 새로운 에너지 전력 장치 및 UV 레이저 시스템에 맞춤형 재료 솔루션을 제공합니다.회사는 6인치 갈륨 아르세나이드 웨이퍼에서 12인치 실리콘 카바이드 웨이퍼까지의 단계적인 생산 용량 구조를 개발했습니다., 차세대 반도체 경쟁력을 위해 자급자족하고 제어 가능한 재료 기반을 구축하는 중국의 전략적 목표에 적극적으로 기여합니다.       ZMSH의 12인치 사파이어 웨이퍼와 12인치 SiC 웨이퍼:           * 저작권 관련 문제 가 있는 경우 저희에게 연락 하시면 즉시 해결 될 것 입니다.